（原标题：三星内存正规配资平台官网，也害怕被中国超车？）
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来源：内容来自wccftech。
中国的长鑫存储（CXMT）正在积极推进技术研发，力图缩小与三星之间在内存技术方面的差距。该公司已完成LPDDR5X内存的开发阶段，这一进展显然给三星的内存部门敲响了警钟。最新报道指出，这家韩国巨头已全速启动下一代LPDDR6内存芯片的开发，预计该技术将在提供更高带宽的同时降低功耗。
据称，三星的新一代LPDDR6内存标准将基于其先进的“1c DRAM”工艺量产，这将使其在与中国竞争对手的较量中占据实质性优势。
据业内爆料人@Jukanlosreve提到，《Business Post》的一篇报道指出，CXMT已于今年开始着手开发LPDDR6内存芯片，业内人士预测，按照当前进展速度，这家中国厂商最早有望在2026年启动大规模量产。为了不落后于人，三星也加快了自身LPDDR6技术的研发进程，其核心优势在于内存芯片将采用更先进的“1c DRAM”工艺制造。
相关报道中还提到，苹果自研基带芯片的野心正威胁着高通的数十亿美元营收，但高通正将重心转向汽车、物联网以及其他新兴市场。
在“1c”架构上量产LPDDR6内存芯片将为三星带来在性能与效率上的领先地位，有望在AI、移动计算、机器人和自动驾驶汽车等多个关键应用领域中占据先机。DRAM的制造技术可分为多个阶段，其中“1x”为初代技术，“1c”则为第六代，每一代技术的更迭都意味着在性能与能效上的突破。
据称，高通将成为首家采用三星LPDDR6内存芯片的客户，其下一代旗舰SoC——骁龙8 Elite第二代（Snapdragon 8 Elite Gen 2）将率先支持该技术，预计该芯片将在9月23日开幕的Snapdragon技术峰会上正式亮相。虽然报告中暂未提及其他潜在客户，但鉴于LPDDR6的诸多优势，预计不久后将有更多客户开始下单，从而帮助三星在与长鑫的竞争中取得明显领先。
https://wccftech.com/samsung-accelerating-lpddr6-ram-development-in-h2-2025/
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